搜索全站
产品中心 > 生产型磁控溅射设备—MSI-100-UHV
7c3e471b-0c48-417b-909f-abe72afe68fc(6).jpg
7c3e471b-0c48-417b-909f-abe72afe68fc(6).jpg
  • 7c3e471b-0c48-417b-909f-abe72afe68fc(6).jpg
    • 1

生产型磁控溅射设备—MSI-100-UHV

生产型磁控溅射设备是针对企业和高校实验室及小试线研发的高性能、高效率的磁控溅射装备，该超高真空版本提供更高的溅射室真空度，兼具高性能薄膜的制备和小批量量产的需求。MSI-100-UHV型磁控溅射设备极限真空度优于1×10-8mbar，包括进样室和溅射室，可满足8inch晶圆上高精度纳米级材料的生产制备需求。

生产型磁控溅射设备是针对企业和高校实验室及小试线研发的高性能、高效率的磁控溅射装备，该超高真空版本提供更高的溅射室真空度，兼具高性能薄膜的制备和小批量量产的需求。MSI-100-UHV型磁控溅射设备极限真空度优于1×10-8mbar，包括进样室和溅射室，可满足8inch晶圆上高精度纳米级材料的生产制备需求。

性能参数

晶圆尺寸8inch向下兼容
镀膜均匀性优于±3%
极限真空优于1×10-8mbar
进样室自动传输，可选装载数量，可选机械臂抓手形状，独立真空系统
样品台温控

辐射加热，RT-800℃
可选rt-1200℃

阴极数量4个4inch
电源DC、RF、DC Pulse
占地面积3m L*2m W*2m H
可选溅射角度、溅射方向、低温泵、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单等

六大特色  懂你所需

企业/高校性能之选

2(1).jpg

测试案列

随着半导体行业的发展，高校实验室和企业对于具有高性能、低成本、高效率等优点的磁控溅射装备有着巨大需求。其中设备需要满足在8inch晶圆上制备薄膜的均匀性。
如图是8寸晶圆上镀钛膜均匀性测试。
（沉积条件：4寸靶倾斜沉积8寸晶圆，采用直接溅射或增大靶材磁村可提高至2%以内）

3(9).png

8寸晶圆

将750μm的单抛晶圆裂片成1cm×1cm的小样，取九片，去边1cm沿八寸晶圆直径固定好，进行磁控溅射镀钛膜，如下图所示。测试发现晶圆片内均匀性＜3%。

4(1).png

均匀性测试结果

5.png