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科研级磁控溅射系统—MS-400

MS-400磁控溅射系统是一款多功能多靶磁控溅射系统，具有超高真空，单原子层沉积精度，设备维护简单的特点。MS-400系统标配6个2inch共焦超高真空阴极，满足实验室或企业实验室中工艺研究的需求，维护简单，运行稳定。

产品详情

MS-400磁控溅射系统是一款多功能多靶磁控溅射系统，具有超高真空，单原子层沉积精度，设备维护简单的特点。MS-400系统标配6个2inch共焦超高真空阴极，满足实验室或企业实验室中工艺研究的需求，维护简单，运行稳定。

性能参数

晶圆尺寸	4inch向下兼容
镀膜均匀性	优于±2%
极限真空	优于1×10-9mbar（金属密封）优于1×10-8mbar（胶圈密封）
温控	RT-800℃，可选最高1200℃
阴极数量	6~7个2inch，共焦溅射
电源	DC、RF、DC Pulse
沉积精度	0.1nm
占地面积	3m L2m W2m H
可选	低温泵、垂直溅射、自动传输、反应溅射、膜厚仪、RGA、工艺菜单等

客户案例1

通过本MS-400科研级磁控溅射，制备了具有强PMA的Mo基结构的单自由层和双自由层MTJ磁隧道结薄膜。

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根据图1实验结果得出，Mo基双自由层薄膜的吉尔伯特阻尼常数为0.02。

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在一个制备的p-MTJ结构中，由HR-TEM、EDS和EELS测试结果显示，膜层界面清晰，扩散率较低，具有较高的热稳定性。

客户案例2

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AuSn合金薄膜

AuSn合金薄膜X射线衍射测试表征结果（衬底Si片)

客户案例3

TiPtAu多层薄膜

TiPtAu多层薄膜截面SEM扫描图

客户案例4

RuO2等单晶材料的制备。

MS-400型磁控溅射系统可以实现最高1200摄氏度的加热温度，可以满足单晶材料沉积的需求。